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晶體管參數(shù)測試儀技術(shù)文章

更新時(shí)間：2021-09-10點(diǎn)擊次數(shù)：555

 

晶體管參數(shù)測試儀 型號：JFY3022A

JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀詳細(xì)介紹
※概述:
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀，是一種專門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機(jī)采用大規(guī)模MCU設(shè)計(jì),中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安全方便,電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測。
※             測量元件類型:
N型三極管,P型三極管,N型MOS場效應(yīng)管,P型MOS場效應(yīng)管N型結(jié)型場效應(yīng)管,正負(fù)三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準(zhǔn)器431,整流二極管,整流橋堆，可控硅，穩(wěn)壓二極管.
※             測量參數(shù):
■ 整流二極管,三端肖特基，整流橋堆:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

正向壓降(VF)

0-2.000V

0-2.000A

耐壓(VRR)

0-1500V

0-2.000MA

 

■N型三極管:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

輸入正向壓降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐壓(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍數(shù)(HEF)

0-3000

VCE:0-20V IC:0-2.000A

飽和壓降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三極管:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

輸入正向壓降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐壓(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍數(shù)(HEF)

0-3000

VCE:5.0V IB:100uA

飽和壓降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

 

N,P型MOS場效應(yīng)管:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

啟動(dòng)電壓(VGS(th))

0-20.00V

0-2.000mA

耐壓(BVCEO)

0-1500V

0-2.000mA

導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)

0.1Mr-200R

Vgs:0-20V Id:0-2.000A

單雙向可控硅:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

觸發(fā)電流(IGT)

0-40.MA

VD=0-20V,ID=0-2.000A

觸發(fā)電壓(VGT)

0-2.000V

VD=0-20V,ID=0-2.000A

耐壓(VDRM VRRM)

0-1500V

0-2.000mA

通態(tài)壓降(VTM)

0-2.000V

IT:0-2.00A

三端穩(wěn)壓IC:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

輸出電壓(Vo)

0-20.00V

Vin:0-20V Io:0-2.00A

基準(zhǔn)IC 431:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

輸出電壓(Vo)

0-20.00V

IZ:0-200mA

 

■ 穩(wěn)壓二極管:

 

參數(shù)項(xiàng)

測試參數(shù)

測試條件設(shè)置

穩(wěn)壓值(VZ)

0-20V

0-100MA

穩(wěn)壓值(VZ)

20-200V

0-2.000MA